最近做stm32項(xiàng)目，糾結(jié)過(guò)其啟動(dòng)方式。 
看到篇不錯(cuò)的文章，轉(zhuǎn)載一下。原文格式不太好，內(nèi)容也有很多奇怪的地方（尤其是第二篇，就先認(rèn)為原文是原創(chuàng)，只是作者的思路我不懂吧），都一一刪改。想看原文的朋友鏈接如下： 
http://www.ithao123.cn/content-3065243.html Duanxx的STM32學(xué)習(xí)： 啟動(dòng)模式，BOOT0和BOOT1詳解 
http://bluefish.blog.51cto.com/214870/1239098 上拉電阻與下拉電阻的作用

所謂啟動(dòng)，一般來(lái)說(shuō)就是指我們下好程序后，重啟芯片時(shí)，SYSCLK的第4個(gè)上升沿，BOOT引腳的值將被鎖存。用戶可以通過(guò)設(shè)置BOOT1和BOOT0引腳的狀態(tài)，來(lái)選擇在復(fù)位后的啟動(dòng)模式。

Main Flash memory是STM32內(nèi)置的Flash，一般我們使用JTAG或者SWD模式下載程序時(shí)，就是下載到這個(gè)里面，重啟后也直接從這啟動(dòng)程序。

System memory從系統(tǒng)存儲(chǔ)器啟動(dòng)，這種模式啟動(dòng)的程序功能是由廠家設(shè)置的。一般來(lái)說(shuō)，這種啟動(dòng)方式用的比較少。系統(tǒng)存儲(chǔ)器是芯片內(nèi)部一塊特定的區(qū)域，STM32在出廠時(shí)，由ST在這個(gè)區(qū)域內(nèi)部預(yù)置了一段BootLoader，也就是我們常說(shuō)的ISP程序，這是一塊ROM，出廠后無(wú)法修改。 
一般來(lái)說(shuō)，我們選用這種啟動(dòng)模式時(shí)，是為了從串口下載程序，因?yàn)樵趶S家提供的BootLoader中，提供了串口下載程序的固件，可以通過(guò)這個(gè)BootLoader將程序下載到系統(tǒng)的Flash中。但是這個(gè)下載方式需要以下步驟：

1. Step1:將BOOT0設(shè)置為1，BOOT1設(shè)置為0，然后按下復(fù)位鍵，這樣才能從系統(tǒng)存儲(chǔ)器啟動(dòng)BootLoader

2. Step2:最后在BootLoader的幫助下，通過(guò)串口下載程序到Flash中

3. Step3:程序下載完成后，又有需要將BOOT0設(shè)置為GND，手動(dòng)復(fù)位，這樣，STM32才可以從Flash中啟動(dòng) 
   可以看到，利用串口下載程序還是比較的麻煩，需要跳帽跳來(lái)跳去的，非常的不注重用戶體驗(yàn)。

Embedded SRAM 內(nèi)置SRAM，既然是SRAM，自然也就沒(méi)有程序存儲(chǔ)的能力了，這個(gè)模式一般用于程序調(diào)試。 
假如我只修改了代碼中一個(gè)小小的地方，然后就需要重新擦除整個(gè)Flash，比較的費(fèi)時(shí)，可以考慮從這個(gè)模式啟動(dòng)代碼（也就是STM32的內(nèi)存中），用于快速的程序調(diào)試，等程序調(diào)試完成后，在將程序下載到SRAM中。

因此，比較常見(jiàn)的選擇方式是BOOT0接地，當(dāng)然啦，如果自己畫stm32系統(tǒng)板的話，最好也要留下其他兩個(gè)啟動(dòng)方式。對(duì)于大型程序使用SRAM進(jìn)行調(diào)試還是很有必要的。

下面講一下上拉電阻與下拉電阻的區(qū)別： 
上拉電阻就是把不確定的信號(hào)通過(guò)一個(gè)電阻鉗位在高電平，此電阻還起到限流的作用。同理，下拉電阻是把不確定的信號(hào)鉗位在低電平。上拉電阻是指器件的輸入電流，而下拉指的是輸出電流。 
那么在什么時(shí)候使用上、下拉電阻呢？ 
1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí)，如果TTL電路輸出的高電平低于CMOS電路的最低高電平（一般為3.5V），這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。 
2、OC門電路必須加上拉電阻，以提高輸出的搞電平值。 
3、為加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力，有的單片機(jī)管腳上也常使用上拉電阻。 
4、在CMOS芯片上，為了防止靜電造成損壞，不用的管腳不能懸空，一般接上拉電阻降低輸入阻抗，提供泄荷通路。 
5、芯片的管腳加上拉電阻來(lái)提高輸出電平，從而提高芯片輸入信號(hào)的噪聲容限，增強(qiáng)抗干擾能力。 
6、提高總線的抗電磁干擾能力。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。 
7、長(zhǎng)線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾，加上下拉電阻是電阻匹配，有效的抑制反射波干擾。 
另外，上拉電阻阻值的選擇原則包括: 
1、從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大；電阻大，電流小。 
2、從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠?。浑娮栊。娏鞔?。 
3、對(duì)于高速電路，過(guò)大的上拉電阻可能邊沿變平緩。 
綜合考慮以上三點(diǎn),通常在1k到10k之間選取。對(duì)下拉電阻也有類似道理

關(guān)于上拉電阻，看圖。

作為輸入接VCC等于1，接GND=0。 
 
如果按鍵短路（按下）電阻為零，按鍵按下，Out=0，當(dāng)按鍵斷開(kāi)，Out=？顯然當(dāng)Out懸空輸出VCC，這可以用儀表測(cè)量。這個(gè)VCC就是靠R1“上拉”產(chǎn)生的，顧名思義，R1就是上拉電阻。上拉電阻的大小，取決于輸出接負(fù)載的需要，通常邏輯電路對(duì)高電平輸出阻抗很大，要求輸出電流很小，在上拉電阻上壓降可以忽略，當(dāng)然上拉電阻不能太大，否則就不能忽略了。

實(shí)際電路還有這種結(jié)構(gòu) 
 
這里的R1也是上拉電阻。

單片機(jī)P0口輸出結(jié)構(gòu)一部分電路類似下圖，實(shí)際可能用的是場(chǎng)效應(yīng)管。 
 
當(dāng)Q1，Q2分別導(dǎo)通，可以對(duì)外輸出0和1，當(dāng)Q1，Q2都不導(dǎo)通時(shí)？要想輸出1，咋辦？外接上拉電阻！

為什么要使用拉電阻： 
一般作單鍵觸發(fā)使用時(shí)，如果IC本身沒(méi)有內(nèi)接電阻，為了使單鍵維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)，必須在IC外部另接一電阻。

關(guān)于下拉電阻，用得少，道理和上面一樣，只不過(guò)通過(guò)電阻“下拉”到GND。

這里不再詳細(xì)說(shuō)明

數(shù)字電路有三種狀態(tài)：高電平、低電平、和高阻狀態(tài)，有些應(yīng)用場(chǎng)合不希望出現(xiàn)高阻狀態(tài)，可以通過(guò)上拉電阻或下拉電阻的方式使處于穩(wěn)定狀態(tài)，具體視設(shè)計(jì)要求而定！一般說(shuō)的是I/O端口，有的可以設(shè)置，有的不可以設(shè)置，有的是內(nèi)置，有的是需要外接，I/O端口的輸出類似與一個(gè)三極管的C，當(dāng)C接通過(guò)一個(gè)電阻和電源連接在一起的時(shí)候，該電阻成為上C拉電阻，也就是說(shuō)，如果該端口正常時(shí)為高電平，C通過(guò)一個(gè)電阻和地連接在一起的時(shí)候，該電阻稱為下拉電阻，使該端口平時(shí)為低電平。 
上拉電阻是用來(lái)解決總線驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)提供電流的。一般說(shuō)法是拉電流，下拉電阻是用來(lái)吸收電流的，也就是灌電流。