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?英利牽頭主編的多晶硅片、硅錠晶體國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

文章出處:電源 責(zé)任編輯:上海現(xiàn)易電子元器件有限公司 發(fā)表時(shí)間:2017-12-07

  12月4日,記者從英利集團(tuán)了解到,該公司牽頭主編的《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測(cè)定方法》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)順利進(jìn)入報(bào)批階段,預(yù)計(jì)2018年發(fā)布,將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測(cè)試方法的空白。下面就隨電源管理小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

  據(jù)了解,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法》是采用酸性混合液對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)拋光,再使用腐蝕液對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)腐蝕,硅晶體缺陷被優(yōu)先腐蝕并顯現(xiàn)出來(lái),通過(guò)對(duì)不同位置的硅錠取樣片,測(cè)量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度,其最終結(jié)果可以表征硅錠的晶體缺陷密度。

  近年來(lái),英利集團(tuán)大力實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)化戰(zhàn)略,高度重視標(biāo)準(zhǔn)化工作,已經(jīng)主持制定和參與制定IEC標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等各類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)77項(xiàng),主持制定和參與制定標(biāo)準(zhǔn)總數(shù)量位居光伏行業(yè)前列。

    以上是關(guān)于電源管理中-英利牽頭主編的多晶硅片、硅錠晶體國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白的相關(guān)介紹,如果想要了解更多相關(guān)信息,請(qǐng)多多關(guān)注eeworld,eeworld電子工程將給大家提供更全、更詳細(xì)、更新的資訊信息。

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