兩款新型FET驅(qū)動(dòng)器有助于納秒級LiDAR應(yīng)用和50MHz DC / DC轉(zhuǎn)換器。

2018年3月8日，北京訊——德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業(yè)內(nèi)最佳的驅(qū)動(dòng)速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器可在工業(yè)LIDAR應(yīng)用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗，進(jìn)一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá)200 V的GaN場效應(yīng)晶體管而設(shè)計(jì)。該器件的可調(diào)死區(qū)時(shí)間控制功能能夠?qū)⒏咚貲C / DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、D類音頻放大器及其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用效率提高多達(dá)5％。設(shè)計(jì)人員可利用超過300 V / ns的業(yè)內(nèi)最高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）實(shí)現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗噪聲能力。

LMG1020和LMG1210的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

·高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns ［LMG1020］和10 ns ［LMG1210］），使電源解決方案比采用硅驅(qū)動(dòng)器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程LIDAR應(yīng)用。

·高效率：這兩款器件均可實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)。 LMG1210提供1 pF的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制，可將效率提高多達(dá)5％。

·功率密度：LMG1210中的死區(qū)時(shí)間控制集成功能可減少元件數(shù)量并提高效率，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)㈦娫闯叽缃档投噙_(dá)80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業(yè)內(nèi)最小封裝和最高分辨率。

TI GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢

LMG1020和LMG1210是業(yè)界最大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員，從200V驅(qū)動(dòng)器到80V和600V功率級。憑借超過1，000萬小時(shí)的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術(shù)帶來數(shù)十年的硅制造專業(yè)技術(shù)和高級器件開發(fā)人才。

在APEC上參觀TI展臺

TI將于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2018年3月4日至8日參展在得克薩斯州圣安東尼奧市舉行的美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC），并展示其廣泛的GaN產(chǎn)品組合以及GaN技術(shù)。

加快設(shè)計(jì)所需的支持和工具

設(shè)計(jì)人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級參考設(shè)計(jì)，快速開始他們的氮化鎵設(shè)計(jì)。