“美中貿(mào)易沖突對(duì)芯片行業(yè)不利，中國組裝不少終端產(chǎn)品，因此其貿(mào)易糾紛可能影響到我們?！?strong>臺(tái)積電董事長張忠謀在接受英國金融時(shí)報(bào)專訪時(shí)說到。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

　　他的擔(dān)心不無道理，假如美國提高關(guān)稅壁壘，整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈都會(huì)受到很大的影響。要知道臺(tái)積電的產(chǎn)品最后組裝主要還是集中在大陸。

　　但是，臺(tái)積電更大的風(fēng)險(xiǎn)不在于終端產(chǎn)品制造將受到短期干擾，而在于臺(tái)積電的芯片制造訂單可能會(huì)流向中國的替代廠商。

　　高通、博通及英偉達(dá)幾乎壟斷了芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，臺(tái)積電則是這些公司的主要供應(yīng)商。一旦設(shè)計(jì)業(yè)者有了新的選擇，便可能不再只下單給臺(tái)積電。

　　中國已經(jīng)開始科技自主創(chuàng)新，其中包括了自己制造最先進(jìn)的半導(dǎo)體，據(jù)了解，中國政府支持的國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司將宣布投入人民幣3000億元，用于中國芯片業(yè)。

　　中國是有實(shí)力在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域后來居上的，目前中國正在發(fā)展的晶圓廠就有20座，政府還會(huì)提供獎(jiǎng)勵(lì)措施，臺(tái)積電也趁著這個(gè)勢頭，在大陸南京設(shè)立了晶圓廠。

　　臺(tái)積電于2000年代初期擺脫聯(lián)電及IBM等對(duì)手，最近又力圖甩開三星。但一長串現(xiàn)金滿滿且饑腸轆轆的中國競爭者，才是臺(tái)積電當(dāng)前的真正挑戰(zhàn)，也是張忠謀過去從未遇到過的挑戰(zhàn)。

　　中國晶圓廠真有能力吃下這些訂單嗎?

　　在高端產(chǎn)品代工方面，國內(nèi)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電的。以中芯國際為例，雖然2017年第四季中芯國際28納米占營收比重估計(jì)約10%，但其多偏向中低階的28納米多晶硅氮氧化硅(Ploy/SiON)技術(shù)，高階28納米HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)制程良率一直不如預(yù)期。但臺(tái)積電等廠商已經(jīng)在28nmHKMG上面耕耘了多年，并會(huì)在今年進(jìn)入7nm，5nm和3nm也在規(guī)劃之中，這是一個(gè)很難跨越的鴻溝。

　　另外，三星今年也開始發(fā)力晶圓代工。4月初，三星就完成了7nm新工藝的研發(fā)，比預(yù)期進(jìn)度提早了半年，也奠定了三星與臺(tái)積電搶高通驍龍855代工訂單的基礎(chǔ)。

　　三星和臺(tái)積電的工藝之爭在16/14nm節(jié)點(diǎn)變得更加的激烈，雙方互不相讓，投入巨額推進(jìn)新工藝。目前，雙方的10nm工藝都成功商用，7nm上三星因?yàn)橥度氲募夹g(shù)更先進(jìn)，原本計(jì)劃今年下半年才能完成的，卻提前半年完成，將會(huì)全面轉(zhuǎn)向5nm工藝的研發(fā)。

　　再來看看一下稍微落后的工藝，很多專家認(rèn)為，因?yàn)榛ヂ?lián)網(wǎng)的興起，28nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)將會(huì)存在很長一段時(shí)間，臺(tái)積電南京工廠已經(jīng)加快了進(jìn)程，且16nm也在加速導(dǎo)入，而這個(gè)我們本土還沒有影。

　　另外一個(gè)競爭對(duì)手聯(lián)電，也加強(qiáng)了競爭力，其在廈門12吋廠已開始導(dǎo)入28納米。三星也在日前宣布，未來將以目前成熟的8英寸晶圓代工技術(shù)為主，為中小企業(yè)提供定制化的晶圓代工服務(wù)。

　　對(duì)于中國晶圓代工廠來說，未來還有很長的路要走。

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